單晶硅差壓變送器

產品說明：江蘇美安特單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點。歡迎垂詢！

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產品說明

隨著微電子機械加工系統(tǒng)技術的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質將決定最終產品的性能與等級。以目前國際市場上廣泛采用的硅芯片技術而言，硅壓阻技術加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術加工工藝復雜過壓特性不好；本公司單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點，并從設計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，完全適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領域。

一、單晶硅差壓變送器性能特點：
1、高純度單晶硅材質，有效提高產品壽命及長期穩(wěn)定性
2、雙惠斯通電橋設計，“雙梁”電阻溫度特性互補，提高芯片抗干擾能力
3、LCD帶背光顯示數字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及0~100%模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現(xiàn)調零和調滿功能，以及數據恢復功能，方便了現(xiàn)場調試
5、信號轉換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠、高抗震等特點，并具有良好的互換性

二、單晶硅差壓變送器技術參數：
產品型號：3351JDP-單晶硅差壓變送器3351JDR-單晶硅微差壓變送器
測量原理：單晶硅懸浮式
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負壓
測量范圍：-400~400kPa量程可選
測量精度：±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART

三、單晶硅差壓變送器產品選型：

3351JDR	微差壓變送器
3351JDP	差壓變送器
量程范圍		代碼	量程單位
			KPa		InH2O			mBar		mmH2O
			（根據以下表格中選取代碼）
輸出信號			S	4~20Ma+HART協(xié)議
			T	特殊要求
精度等級				I75		0.075%±
				I1		0.1%±
				I2		0.25%±
顯示方式						M3	液晶顯示
連接型式及尺寸							C2	丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型）
							SF	配三閥組
							Y	用戶約定
安裝支架型式（GP型）								B1	管裝彎支架
								B2	板裝彎支架
								B3	管裝平支架
隔爆等級									B		ExdiiCT6

四、工作壓力：

型號	膜盒	工作壓力
DR微差壓變送器	DR1（1KPa）	1.5MPa
DR微差壓變送器	DR2（6KPa）	2MPa
DP中靜壓差壓變送器	M1~M6	25MPa
DX大量程差壓變送器	L1（2MPa）	25MPa
	L2（4MPa）	20MPa
	L3（10MPa）	20MPa
HP高靜壓差壓變送器	HP1~HP6	40MPa
DPS低靜壓差壓變送器	S1（10KPa）	2MPa
	S2（20KPa）	3.5MPa
	S3（40KPa）	3.5MPa
	S4（100KPa）	7MPa
	S5（200KPa）	7MPa
	S6（500KPa）	7MPa

五、壓力量程選擇：
5-1DPS低靜壓差壓變送器：

量程/范圍		KPa	inH2O	mBar	mmH2O
S1	量程	0.5~10	2~40	5~100	50~1000
S1	范圍	-10~10	-40~40	-100~100	-1000~1000
S2	量程	1~20	4~80	10~200	100~2000
S2	范圍	-20~20	-80~80	-200~200	-2000~2000
S3	量程	1~40	4~160	10~400	100~4000
S3	范圍	-40~40	-160~160	-400~400	-4000~4000
S4	量程	1~100	4~400	10~1000	100~10000
S4	范圍	-100~100	-400~400	-1000~1000	-10000~10000
S5	量程	2~200	8~800	20~2000	200~20000
S5	范圍	-200~200	-800~800	-2000~2000	-20000~20000
S6	量程	5~500	20~2000	50~5000	500~50000
S6	范圍	-500~500	-2000~2000	-5000~5000	-50000~50000

5-2DX大量程差壓變送器：

量程/范圍		MPa	inH2O	mBar	mmH2O
L1	量程	0.02~2	0.08×103~8×103	0.2×103~20×103	2×103~200×103
L1	范圍	-2~2	-8×103~8×103	-20×103~20×103	-200×103~200×103
L2	量程	1~20	0.16×103~16×103	0.4×103~40×103	4×103~400×103
L2	范圍	-20~20	-16×103~16×103	-40×103~40×103	-400×103~400×103
L3	量程	1~40	0.4×103~40×103	1×103~100×103	10×103~1000×103
L3	范圍	-40~40	-40×103~40×103	-100×103~100×103	-1000×103~1000×103

5-3HP高靜壓差壓變送器：

量程/范圍		KPa	inH2O	mBar	mmH2O
HP1	量程	0.5~10	2~40	5~100	50~1000
HP1	范圍	-10~10	-40~40	-100~100	-1000~1000
HP2	量程	1~20	4~80	10~200	100~2000
HP2	范圍	-20~20	-80~80	-200~200	-2000~2000
HP3	量程	1~40	4~160	10~400	100~4000
HP3	范圍	-40~40	-160~160	-400~400	-4000~4000
HP4	量程	1~100	4~400	10~1000	100~10000
HP4	范圍	-100~100	-400~400	-1000~1000	-10000~10000
HP5	量程	2~200	8~800	20~2000	200~20000
HP5	范圍	-200~200	-800~800	-2000~2000	-20000~20000
HP6	量程	5~500	20~2000	50~5000	500~50000
HP6	范圍	-500~500	-2000~2000	-5000~5000	-50000~50000

美安特專業(yè)生產單晶硅差壓變送器，單晶硅差壓變送器廠家價格，江蘇美安特單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國領先的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點。歡迎垂詢！

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