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壓力變送器

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高精度單晶硅壓力變送器

高精度單晶硅壓力變送器

產(chǎn)品說明:MAT高精度單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。

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  • 產(chǎn)品說明






高精度單晶硅壓力/差壓變送器 用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度、壓力,然后將其轉(zhuǎn)變成4-20mA HART電流信號輸出,也可與BST9900、HART375或BST Modem相互通信,通過他們進(jìn)行參數(shù)設(shè)定、過程控制。
工作原理
     傳感器模塊采用全焊接技術(shù),內(nèi)部擁有一個整體化的過載膜片,一個壓力傳感器和一個溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾怠毫鞲衅鞯恼龎簜?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連,傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連,壓力通過隔離膜片和填充液,傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片,使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化,從而導(dǎo)致檢測系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比,再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號輸出。
高精度單晶硅壓力/差壓變送器優(yōu)勢
單晶硅技術(shù)壓力傳感器
雙膜片過載防護(hù)結(jié)構(gòu)
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊
顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)
殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置
耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊
規(guī)格參數(shù)
通信線路條件 :
線路長度:最長2km(0.75~1.25mm2 控制儀表用電纜,超過1km 時使用雙絞電纜)
負(fù)載電阻:250~600Ω(DC 24V, 包含電纜電阻 )
負(fù)載電容:0.55mF 以下
負(fù)載電感:3.3mH 以下
動力線的間隔:15cm 以上(請避免平行配線)
飽和電流:上限: 20.8mA 下限 : 3.8mA
報(bào)警電流:上限: 22.8mA 下限: 3.6mA(模式可設(shè)置)
調(diào)整功能:零點(diǎn)、滿量程點(diǎn)可從通過外殼頂部三按鍵進(jìn)行帶就地調(diào)整或者可利用組態(tài) 軟件進(jìn)行遠(yuǎn)程調(diào)整
零點(diǎn)遷移:可在最大量程的 -20%~+20%的范圍內(nèi)遷移
環(huán)境溫度:-40~+85℃(充灌氟油時:-10~+60℃)
貯存溫度:-40~+90℃
EMC適用標(biāo)準(zhǔn):EN1326-1:2006
靜壓影響:±0.05%量程 /10MPa
過壓影響:±0.05%量程上限 /16MPa
年穩(wěn)定性:±0.05%量程上限
電源影響:±0.005% /1V
安裝位置影響: 與膜片面平行方向的安裝位置變化不會 造成零漂影響,若安裝位置與膜片面超 過 90°的變化,在 0.4kPa 范圍內(nèi)的零 漂可通過調(diào)零校正
響應(yīng)時間:90ms
阻尼:時間常數(shù)可在 0~99.9 秒內(nèi)調(diào)整
濾波常數(shù):可在 0~160uA 內(nèi)調(diào)整
自穩(wěn)系數(shù):可在 0~2% 內(nèi)調(diào)整
接液部材質(zhì):SUS316L不銹鋼
接液密封圈:氟橡膠,橡膠
變送器外殼:低銅鋁壓鑄件 + 聚氨酯涂裝
變送器外殼蓋:鋁壓鑄件 + 聚氨酯涂裝
密封等級:IP67
銘牌: SUS304
填充油: 硅油,氟油(可選)
重量:約 2 . 2 ~ 2 . 7 kg( 本體)
電纜引入口: M20×1.5
外部端子:M 3 螺釘
過程連接口:1/4"-14NPT
安裝方法:在 50mm(2-inch) 管道上用U型螺栓安裝,或者安裝于墻面(根據(jù) 型號規(guī)格)
 

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